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著录信息

  • 专利名称：高介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用
  • 专利类型：发明
  • 申请号：CN201310746333.4
  • 公开(公告)号：CN103724624B
  • 申请日：20131230
  • 公开(公告)日：20160330
  • 申请人：深圳市惠程电气股份有限公司
  • 发明人：侯豪情,吕晓义,何平
  • 申请人地址：518118 广东省深圳市坪山新区大工业区兰景北路惠程科技园
  • 申请人区域代码：CN440307
  • 专利权人：深圳市惠程电气股份有限公司
  • 洛迦诺分类：无
  • IPC：C08G73/10,C08J5/18
  • 优先权：无
  • 专利代理机构：北京万科园知识产权代理有限责任公司 11230
  • 代理人：刘俊玲;张亚军
  • 审查员：王燕
  • 国际申请：无
  • 国际公开(公告)：无
  • 进入国家日期：无
  • 分案申请：无

关键词

聚酰亚胺薄膜,高介电常数,芳环,聚酰亚胺薄膜在,机械能,电致伸缩性能,高化学稳定性,机电能量转换,聚酰胺酸薄膜,聚酰亚胺材料,低介电损耗,重复单元数,电能输送,电子器件,二胺残基,聚酰胺酸,聚合物,高储能,高强度,介电层,聚苯胺,耐高温,亚胺化,残基,二酐,链段,一种,电机,转换,应用,表现
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