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著录信息

  • 专利名称：双栅MOS结构的功率晶体管
  • 专利类型：实用新型
  • 申请号：CN201420134117.4
  • 公开(公告)号：CN203774335U
  • 申请日：20140324
  • 公开(公告)日：20140813
  • 申请人：江苏宏微科技股份有限公司
  • 发明人：张景超,戚丽娜,刘利峰,王晓宝,赵善麒
  • 申请人地址：213022 江苏省常州市新北区华山中路18号
  • 申请人区域代码：CN320411
  • 专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
  • 洛迦诺分类：无
  • IPC：H01L29/78,H01L29/423,H01L21/336,H01L21/28
  • 优先权：无
  • 专利代理机构：常州市维益专利事务所 32211
  • 代理人：贾海芬
  • 审查员：无
  • 国际申请：无
  • 国际公开(公告)：无
  • 进入国家日期：无
  • 分案申请：无

关键词

多晶硅栅,掺杂,绝缘介质层,栅氧化层,多晶硅,有源,最佳性能状态,功率晶体管,电流沟道,焊接区域,金属引线,金属层,引线孔,连接,双栅,隔离,分割,延伸
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