IGBT烧结银工艺和IGBT应用领域 IGBT烧结银工艺流程

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摘要:作为新型功率半导体器件的主流器件,IGBT烧结银是国际上公认的第三次革命最具代表性的电力电子技术产品。纳米银低温烧结机制属于固相烧结,是通过原子间的扩散作用而形成致密化的连接,根据扩散而实现的动力学过程。下面为大家介绍IGBT烧结银工艺和IGBT应用领域以及工艺流程。

一、IGBT烧结银介绍

自20世纪80年代末开始工业化应用以来,IGBT发展迅速,不仅在工业应用中取代了MOS和GTR,还在消费类电子应用中逐步取代了BJT、MOS等功率器件的众多应用领域,甚至已扩展到SCR及GTO占优势的大功率应用领域。

作为新型功率半导体器件的主流器件,IGBT是国际上公认的第三次革命最具代表性的电力电子技术产品。据新材研究院统计:IGBT器件已广泛应用于工业、4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域,以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。

二、IGBT烧结银工艺推荐

一)无压烧结银AS9375工艺流程:

1、清洁粘结界面。

2、界面表面能太低,建议增加界面表面能。

3、粘结尺寸过大时,建议一个界面开导气槽。

4、一个界面涂布烧结银时,涂布的要均匀。

5、另外一个界面放烧结银上时,建议加一点压力到上界面压一下。

6、烧结时需逐步阶梯升温到一定的温度,比如3分钟升高5度等。

7、烧结结束时,建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。

二)加压烧结银AS9385工艺流程:

1、清洁粘结界面。

2、界面表面能太低,建议增加界面表面能。

3、粘结尺寸过大时,建议一个界面开导气槽。

4、一个界面涂布烧结银时,涂布的要均匀。

5、另外一个界面放烧结银上时,建议加一点压力到上界面压一下。

6、预烘阶段:150度20-30分钟,界面是铜的基底建议氮气保护(金或者银除外)。

7、预压阶段:150度加压0.5-1MPa,时间为:1-3秒。

8、本压阶段:220-280度加压10-30MPa,时间2-6分钟。

9、烧结结束时,建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。

三、IGBT应用领域

结合IGBT的广泛应用,善仁新材主要围绕其应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网这三大领域展开论述。

1、新能源汽车:推荐有压烧结银AS9385

IGBT是电动汽车及充电桩等设备的核心技术部件,在电动汽车中发挥着至关重要的作用,主要作用于电动车汽车的充电桩、电动控制系统以及车载空调控制系统。

(1)电动控制系统

作用于大功率直流/交流(DC/AC)逆变后汽车电机的驱动;

(2)车载空调控制系统

作用于小功率直流/交流(DC/AC)的逆变;

(3)充电桩

智能充电桩中被作为开关元件使用;

2、轨道交通:推荐有压烧结银AS9385

众所周知,交流传动技术是现代轨道交通的核心技术之一,在交流传动系统中牵引变流器是关键部件,而IGBT又是牵引变流器最核心的器件之一,可以说该器件已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。

3、智能电网:推荐无压低温烧结银AS9375

智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端均需使用IGBT。

(1)发电端

风力发电、光伏发电中的整流器和逆变器都需使用IGBT。

(2)输电端

特高压直流输电中FACTS柔性输电技术需大量使用IGBT。

(3)变电端

IGBT是电力电子变压器的关键器件。

(4)家用电器端

家用白电、微波炉、LED照明驱动等都对IGBT有大量的需求。

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