半导体激光器的特点有哪些 半导体激光器的工作特性介绍

本文章由注册用户 时代工业园 上传提供 2024-04-22 评论 发布 纠错/删除 版权声明 0
摘要:半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器,由于物质结构上的差异,产生激光的具体过程比较特殊。常用材料有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。接下来本文将带来半导体激光器的特点有哪些以及半导体激光器的工作特性介绍,一起到文中来看看吧!

一、半导体激光器的特点有哪些  

半导体激光器(Also known as semiconductor laser)是一种基于半导体材料工作的激光器。它具有以下特点:

1、小型化:半导体激光器的体积小,重量轻,可以方便地集成在各种设备中,如光纤通信、激光打印机、激光读写光驱等。

2、高效率:半导体激光器的电-光转换效率高,能将输入的电能高效地转化为光能,相对于其他类型的激光器有更低的功耗和更高的功率输出。

3、长寿命: 半导体激光器具有较长的工作寿命,能够持续稳定地工作数千小时甚至更长时间。

4、快速响应:半导体激光器的开关速度较快,可以在纳秒级别进行调制和调制解调,适用于高速光通信和光存储等领域。

5、容易调谐:半导体激光器具有较宽的工作波长范围,通过改变电流、温度和施加外界的光学调制,可以实现对激光波长的调谐。

6、相干性:半导体激光器的输出是相干光,光束质量高,光束模式稳定,光学特性优异。

7、低成本:由于半导体激光器制造工艺成熟,成本较低,容易大规模生产,因此价格相对较低。

二、半导体激光器的工作特性介绍

半导体激光器的主要工作特性包括U-I 特性、P-I 特性、阈值特性和温度特性等。

1、半导体激光器的U-I特性

半导体激光器的伏安特性类似于二极管。U-I特性曲线可以反映其PN结的优劣,用来估算其等效电阻值。半导体激光器通电后,两端产生正向电压U。当正向电压U较小时,外电场无法克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力,因而电流很小;当正向电压U足够大时,内电场被明显减弱,电流逐渐成线性增大。

2、半导体激光器的P-I特性

理想的半导体激光器的P-I特性:随着驱动电流I的不断增大,输出光功率P不断增大,但它们之间的关系并非简单的线性关系。在设计半导体激光器的驱动系统时,了解和掌握其P-I特性是非常重要的。

3、半导体激光器的阈值特性

在半导体激光器的工作中,开始输出激光的临界驱动电流值被称为阈值电流。只有当驱动电流大于阈值电流时,半导体激光器才能正常工作并输出激光。因此,阈值电流是半导体激光器的重要工作特性。

4、温度特性

阈值电流随温度增加而增大,尤其是长波段InGaAsP激光器对温度更敏感。

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