英特尔在IEEE国际电子设备会议(IEDM)上发布了未来十年制造工艺扩展路线图,并宣布在2029年实现1.4纳米芯片。
英特尔计划从2019年的10纳米工艺开始,到2021年转向7纳米EUV(极紫外光刻),2023年采用5纳米,2025年3纳米,2027年2纳米,最终到2029年的1.4纳米。1.4纳米大小相当于12个硅原子。在两代工艺节点之间,会引入+和++工艺迭代版本。
英特尔在十年路线图还提到了“反向移植”(back porting)。反向移植是芯片设计时考虑的一个进程节点能力,即任何第一代7纳米设计可以反向移植到10++版本上,任何第一代5纳米设计可以反向移植到7++版本上,然后是3纳米反向移植到5++,2纳米反向移植到3++上,依此类推。
英特尔是半导体行业和计算创新领域的全球领先厂商,创始于1968年。如今,英特尔正转型为一家以数据为中心的公司。英特尔与合作伙伴一起,推动人工智能、5G、智能边缘等转折性技术的创新和应用突破,驱动智能互联世界。
英特尔在硅谷制造芯片。50多年来,英特尔和其员工对世界产生了深远的影响,通过创造彻底改变生活方式的大力创新来推动企业和社会向前发展。
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